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　　集邦表示ღ✿ღ✿✿，美国《芯片法案》将使供应链去中化影响程度加剧ღ✿ღ✿✿。且随着日本ღ✿ღ✿✿、荷兰陆续宣布将加入制裁行列ღ✿ღ✿✿，恐导致同时可用于生产16纳米以下及40和28纳米等成熟制程的关键曝光设备深紫外光（DUV）被划入禁令范畴ღ✿ღ✿✿，再加上本次《芯片法案》限制ღ✿ღ✿✿，意即中系晶圆代工业者ღ✿ღ✿✿、跨国晶圆代工业者在中国的扩产计划ღ✿ღ✿✿，不论是先进或成熟制程皆可能受到程度不等的抑制ღ✿ღ✿✿。

　　集邦指出ღ✿ღ✿✿，2023年上半年开始ღ✿ღ✿✿，IC设计业者或因终端客户要求ღ✿ღ✿✿、自主风险规避等因素ღ✿ღ✿✿，陆续转单或新开案至台系晶圆代工业者ღ✿ღ✿✿，尤以成熟制程为生产主力的世界先进ღ✿ღ✿✿、 力积电明显受惠ღ✿ღ✿✿。对现阶段遭库存修正冲击ღ✿ღ✿✿、产能利用率低落的晶圆代工厂无疑为一大助益k8凯发天生赢家ღ✿ღ✿✿，预期至2023下半年至2024年对产能利用率的挹注将更显著网游游戏公益服ღ✿ღ✿✿。

　　台积电则在本次更新的法案中首当其冲ღ✿ღ✿✿，主要是因其在中美两地均有扩产计划所致ღ✿ღ✿✿。目前台积电在中国的扩产以28纳米为主ღ✿ღ✿✿，且已于2022年启动ღ✿ღ✿✿，扩产相关设备均已陆续移入ღ✿ღ✿✿，加上2022年10月后台积电已取得为期一年之相关设备进口许可ღ✿ღ✿✿，预计2023年中前将扩产完毕ღ✿ღ✿✿。

　　不过网游游戏公益服ღ✿ღ✿✿，据《芯片法案》新细则来看ღ✿ღ✿✿，台积电获美补贴后十年内ღ✿ღ✿✿，Fab16的16/12nm以及28/22nm产能扩充将受限ღ✿ღ✿✿，且当中85%产出须满足中国当地市场需求ღ✿ღ✿✿，加上美出口规范要求跨国晶圆代工业者需申请设备进口许可证等k8凯发天生赢家ღ✿ღ✿✿，此将降低台积电未来在中国的投资意愿ღ✿ღ✿✿。

　　DRAM供应方面ღ✿ღ✿✿，《芯片法案》新细则规定适用于18纳米nm以上制程为主ღ✿ღ✿✿，三大原厂中SK海力士（SK hynix）已计划将无锡厂DRAM产出比重已从48%降低至44%ღ✿ღ✿✿，新厂将拉回于南韩兴建ღ✿ღ✿✿；三星与美光在中国并无DRAM产能k8凯发天生赢家ღ✿ღ✿✿，未来扩产计划也会韩国网游游戏公益服网游游戏公益服ღ✿ღ✿✿、美国两地为主ღ✿ღ✿✿。

　　集邦表示ღ✿ღ✿✿，基于三大原厂的扩产计划预估网游游戏公益服ღ✿ღ✿✿，在韩国DRAM产能比重持续上升的同时k8凯发天生赢家ღ✿ღ✿✿，中国DRAM产能占全球比例将逐年降低ღ✿ღ✿✿，预估2023~2025年中国DRAM产能占全球比重将从14%下滑至12%k8凯发天生赢家ღ✿ღ✿✿。

　　至于三大原厂在中国NAND Flash布建ღ✿ღ✿✿，也会加重在非中国区比重ღ✿ღ✿✿，中国NAND Flash产能扩张及制程升级将受限ღ✿ღ✿✿，预估2023~2025年中国NAND Flash产能占全球比重将从31%跌至18%ღ✿ღ✿✿。